[online][전자Engineering] 이미터 공통 증폭기
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작성일 23-02-01 18:39
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이 전류의 양은 저항과 달리 컬렉터와 이미터 양단에 걸리는 전압에 effect을 받지 않고 오로지 베이스의 전류양으로만 조절 된다는 뜻이다. 따라서 컬렉터 저항 양단에 큰 전압 강하를 일으키게 되고 그 결과 컬렉터 전압이 감소되어 출력전압은 마이너스 반주기를 출력하게 되는 것이다
이미터 공통 증폭기를 구성하여 시뮬레이션과 experiment(실험)을 통하여 증폭기로서 트랜지스터 property(특성)을 이해하는데 목적이 있다
[전자Engineering] 이미터 공통 증폭기
다.
그리고 Re를 제거하면 bias가 걸리지 않아 증폭기 동작을 하지 않는다.
목차:
emitter, 이미터 회로, 증폭기, 트랜지스터, 전자회로 실험, 기초전자회로 실험, 기초전기 실험, 증폭회로,
V = IR formula에서 R은 BJT의 컬렉터에 있는 출력 저항이다. 출력 항은 일정하고 출력 전류가 증가하면 큰 전압 강하를 일으킨다.
1)experiment(실험) 목적
설명
입력임피던스 Zin ≒ Hfe x RE이다. 여기서 안정도는 공급 전압 변동, 주변 온도 등에 따른 안정도를 의미한다.
바이패스 커패시터 Ce를 제거하면 입력 임피던스에 어떤 變化(변화)가 있을까?
각 소자의 전압을 직접 측정할 때 왜 반드시 무접지 오실로스코프, 즉 오실로스코프의 케이스가 전기 시스템에 접지되지 않은 오실로스코프를 사용하는 것 일까?
2)관련 이론
레포트 > 공학,기술계열
그러면 한 가지 의문점이 처음부터 Re를 낮추면 되지 않을까 생각 하지만 Re는 bias 안정도와 관계된다.
CE증폭기의 입력신호와 출력 신호 간에는 어떤 위상관계가 있나?
이미터 공통 증폭기
순서
여기서 說明(설명) 하는 트랜지스터는 BJT이다.
이 전류 증폭량은 BJT의 전류이득 베타이다. 따라서 Ce를 제거하면 입력임피던스는 증가하게 된다. 직류 증폭일때는 RE = Re이지만 교류인 경우에는 RE = Re//Ce 이다. 따라서 Ce는 교류이득을 높여 주는 역할을 한다. BJT는 current controlled currnet source 이다. 다만 Rc 양단에 걸리는 전압을 측정 할 때에는 접지를 하지 않아야 하는데 그 이유는 오실로 스코프 접지와 dc power supply 접지가 전원 코드에 의해 서로 연결되기 때문이다. 베이스 작은 전류의 變化(변화)가 컬렉터 양단에 큰 출력을 나타낸다.
반드시 그럴 필요는 없다.
베이스로 들어가는 전류가 증가하면 컬렉터-이미터로 흐르는 전류는 증가한다.
3가지 증폭 회로 중 CE 증폭기만이 유일하게 입력, 출력위상은 역위상이다.
1)experiment(실험) 목적
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2)관련 이론
내용요약 :
트랜지스터의 베이스로 입력되는 입력전압의 플러스반주기동안 베이스에 흐르는 전류는 증가하여 컬렉터에 흐르는 전류의 증가原因이 된 것이다.
CE증폭회로에서 증폭률은 Rc/RE 이다.
3)시뮬레이션 결과
커패시터 Ce의 역할과, 제거 되면 증폭기의 교류 이득, Re의 제거가 증폭기 성능에 미치는 effect
다른 CC, CB 증폭회로는 모두 입출력이 동위상이다. 컬렉터 저항 양단에 큰 전압강하를 일으키는 것은 증폭을 말한다. 즉 Re기 클수록 안정도가 높아진다. 쉽게 말하면 베이스로 입력전류가 들어가 이미터-베이스로 출력전류가 나온다는 소리이다. 전류는 컬렉터에서 이미터로 흐른다. 보통 베타는 100~200 정도이다.
이미터 공통 증폭기에 대한 실험 보고서 입니다.
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