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화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 처리해야할문제

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작성일 24-01-27 16:17

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레포트/공학기술


화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 처리해야할문제



Wafer cleaning
Types and sources of contamination
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있따 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.
Wet cleaning
: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface
`용도에 따른 약품 분류`
Particles
Organic
M…(drop)



화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 처리해야할문제




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다.
REPORT 11(sv76)



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